Výkonové tranzistory MOSFET. /

Uložené v:
Podrobná bibliografia
Hlavní autori: Stengl, Jens Peer (Author), Tihanyi, Jen (Author)
Médium: Kniha
Jazyk:Czech
German
Vydané: Praha : BEN - Technická literatura Praha, 1999
Vydanie:1. čes. vyd.
Témy:
ISBN: 8086056546 (brož.)
Fyzický popis: 191 s.
Tagy: Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý kto otaguje tento záznam!

LEADER 01237nam a2200373 a 4500
001 000053084
003 SVKK
005 19990907000000.0
008 990628s1999 cs e czeo
FMT
020 |a 8086056546 (brož.) 
040 |a SVKKK  |b slo  |c SVKKK  |e AACR2 
041 1 |a cze  |h ger 
044 |a cs  |c CS 
080 |a 621.382.3(035)  |2 1997 
100 1 |a Stengl, Jens Peer  |4 aut 
245 1 0 |a Výkonové tranzistory MOSFET. /  |c Jens Peer Stengl, Jen Tihanyi 
250 |a 1. čes. vyd. 
260 |a Praha :  |b BEN - Technická literatura Praha,  |c 1999 
300 |a 191 s. 
653 0 |a MOSFET (tranzistor výkon.)  |2 SVKKKPH 
653 0 |a tranzistory výkonové  |2 SVKKKPH 
653 0 |a príručky  |2 SVKKKPH 
655 7 |a príručky  |2 SVKKKPH 
700 1 |a Tihanyi, Jen  |4 aut 
910 |a svkkk 
919 |a 80-86056-54-6 
974 |a UH  |d 19990826 
974 |a PA  |d 19990818 
974 |a MI  |d 19990907 
998 |a BK 
Z30 1 |l SCK01  |l SCK01  |m BOOK  |1 SCKHL  |2 SK14  |b Sklad Pribinova prízemie  |3 IV.180672  |6 926161  |q 19990103  |5 2720047950  |8 20060125  |f 70  |s Absenčne  |h SCKND  |t 20140506  |u 1437  |w 000053084  |x 000010 
a02 0 |a 8086056546 (brož.) 
090 |g SCKHL  |k Sklad Pribinova prízemie  |a IV.180672  |j 926161  |i 2720047950  |s Absenčne