Ionnoje legirovanije poluprovodnikov : (kremnij i germanij).
Uložené v:
| Hlavní autori: | , , |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | Russian English |
| Vydané: |
Moskva :
Mir,
1973.
|
| Vydanie: | 1. izdanije |
| Fyzický popis: |
296 strán : ilustrácie. |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý kto otaguje tento záznam!
|
Titul je dostupný aj v ... 
| LEADER | 01332nam a22003491 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000118173 | ||
| 005 | 20210211191024.0 | ||
| 008 | 020519s1973 ru e 000 0 rus d | ||
| FMT | |||
| 020 | |c Kčs 26,00 |q (viazané) | ||
| 040 | |a SVKKK |b slo |c SVKKK |e rda | ||
| 041 | 1 | |a rus |h eng | |
| 044 | |a ru |c RU | ||
| 100 | 1 | |a Mayer, James W., |d 1930- |4 aut | |
| 240 | 1 | 0 | |a Ion Implantation in Semiconductors. Silicon and Germanium. |l Rusky |
| 245 | 1 | 0 | |a Ionnoje legirovanije poluprovodnikov : |b (kremnij i germanij). |
| 250 | |a 1. izdanije | ||
| 264 | 1 | |a Moskva : |b Mir, |c 1973. | |
| 300 | |a 296 strán : |b ilustrácie. | ||
| 336 | |a text |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |a bez média |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |a zväzok |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Preklad z angl. orig. | ||
| 700 | 1 | |a Eriksson, Lenart |4 aut | |
| 700 | 1 | |a Davis, John A. |4 aut | |
| 700 | 1 | |a Gusev, V. M. |4 trl | |
| 765 | 0 | |t Ion Implantation in Semiconductors. Silicon and Germanium |a Mayer, James W. | |
| 910 | |a svkkk | ||
| 998 | |a BK | ||
| OWN | |||
| Z30 | 1 | |l SCK01 |l SCK01 |m BOOK |1 SCKHL |2 SK10 |b Sklad Pribinova 2. posch. |3 III.105758 |6 504604 |q 19741221 |5 118173-10 |4 Zastaraná |8 20060125 |e 0000 |f 10 |s Vyradená |h SCKRT |z 0.86 |t 00000000 |u 0000 |w 000118173 |x 000010 | |
| 090 | |g SCKHL |k Sklad Pribinova 2. posch. |a III.105758 |j 504604 |i 118173-10 |4 Zastaraná |s Vyradená | ||